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第11部分(第4/4 页)

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发的价值。我们需要针对其他生产商的未来产品,以竞争能力为基础,厘定我们研究与开发计划的优先次序,以作为研究与开发资源分配的重要管理工具。

半导体器材的基本速度极限,取决于半导体器材内电子的移动速度。因此,问题可以归结为找出积体半导体中电子的移动速度。我们可以利用薛丁格波动方程式(Schrodinger w*e equation)找出问题的答案。这是对两位年轻科学家的一大挑战,他们花了两年时间,终于得出砷化镓器件(GaAs)一类的典型半导体中晶体原子结构的电子移动形态。结论指出,抵达目标位置的游离电子只是总电子量的一小部分,受物料结构冲散的电子会困囿于能带禁隙(forbidden energy bands),然后漏出,导致电子的脉冲扩阔而非紧密联系。进一步的理论分析显示,半导体材料中的脉冲传播不大可能短于每秒10E…11,因此非量子半导体器材的脉冲重复速率将低于1兆兆比特(terabit/s)。

Chapter08 开拓新领域(3)

与此同时,我组成了一支成员来自十家不同大学和研究机构的队伍。这样,我只需资助相关范畴但各具不同专长的顶尖专家,让他们互相刺激、启发,相辅相成,并因此而节省不少经费,因为这些专家在其各自的专业里已在研究上花了不少金钱。我给每组专家二十万美元的资助,这只相等于ITT支付一名认可工程师的年薪。我相信,这些专家做出的成果,远超乎我们付出的金钱。比方说,我们有一组人由两位世界知名的麻省理工学院的教授领导,他们实验室里的设备,可以进行

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