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，倒也让龙腾一干技术人员咋舌不已，原来以前真的是坐井观天了。 很多人在加入龙腾科技前，在国家的什么叉叉研究所，那条件，实在是。 虽然**时期中国的半导体产业曾经一度拉小自己跟世界先进国家的差距。 可是就像中国造原子弹一样，都是在极其简陋的环境中生产过来的实验室产品，对于这种大规模应用，造出来地东西就严重的缺乏市场竞争力。

“好啦，时间也差不多过去了两个小时了，头儿吩咐给我的是三个小时。 你们说说还想了解一些什么技术和设备？”虽然说心理有点不耐烦，但小白还是有点职业道德的，所以对于自己上司说的三个小时那是绝对不敢打折扣的。

张国栋他们稍微地讨论了一下，最后还是由张国栋决定看微影得了，毕竟有的东西可能让他们看到了Intel也不会说明，张国栋还没有神奇到只需要看一眼就知道相关技术，他知道这么多还是前世他当Intel的技术指导时乘机了解的，但他也不是万能的啊。

“OK，你们选择了微影，那么接下来我会分为五块来介绍它。 第一块儿自然是正负光阻了。 其实微影光蚀刻术起源于照相制版的技术。 这个我就不多作介绍。 相信很多资料上面都可以查找得到。 自1970年起，微影光蚀刻术开始大量使用于半导体制程之图形转写复制中。 原理在我们现在看来是特别简单的。 利用对紫外线敏感之聚合物，或所谓光阻之受曝照与否，来定义该光阻在显影液中是否被蚀除，而最终留下与遮掩罩幕，即光罩（mask）相同或明暗互补之图形；相同者称之正光阻，明暗互补者称之负光阻（negative　resist）。 一般而言，正光阻，其分辨率及边缘垂直度均佳，但易变质，储存期限也较短，大约半年到一年之间，常用于学术或研发单位；而负光阻之边缘垂直度较差，但可储存较久，常为半导体业界所使用。 当然我这也只是一个建议，至于具体要如何用，当然得看你们自己了。 第二块儿就是我刚刚提到过的光罩。

光罩制作，是微影的关键技术之一。 光罩制作的方式已经经过了几十年地演进。 最开始地时候是由分辨率极差的缩影机技术，改良为直接以计算机辅助设计制造软件控制地雷射束或电子束书写机，在具光阻之石英玻璃　板上进行书写　（曝光），分辨率　（最小线宽）　也改进到微米的等级。 当然我们也得感谢软件技术地发展。 据我所知，张先生的公司也是世界上最出名的独立软件公司之一吧。 ”开来小白同志也不是完全的小白，好歹他还是知道这是由在Intel获得广泛尊敬的虞有程先生介绍过来的，得罪人也不能得罪得太狠，幸亏那还用过压缩软件，知道面前这位就是压缩霸王的掌门人，不大不小地拍了个马匹。

虽然人家表扬的是软件事业部地同仁。 和他们硬件事业部扯不上半点关系，但好歹也是一个公司的。 被打击了这么久，好不容易勃起一回，这些家伙终于是骄傲的昂起了头，连几个老家伙都一样，这也让张国栋不由得苦笑起来，这些家伙啊，真是给了一点阳光就灿烂。

“第三块儿就是对准机了。 其实　在学术或研发单位中。 电路上布局是非常简易的，一套电路布局可全部写在一片光罩中，甚至可以多次多重复。 加上加上学术上使用硅晶圆尺寸较小，配合使用的光罩本来就不大。 所以搭配使用的硅晶圆曝光机台为一般的光罩对准机，而且据我们Intel自己地研发人员说效果还是蛮不错的。 当然，换句话说，一片晶圆只需一次对准曝光，便可进行之后的显影及烤干程序。 当然只是一种简化的程序和步骤，但是效果还是很不错的。 不过在我们业界中，使用的晶圆那要比学术上的大得多，学术上用的晶圆片几乎就是我们地下脚料。 当然，光罩的大小一般是固定化的，我们不可能任意造出5寸或11寸大小的光罩来进行对准曝光：一来电子束书写机在制备这样大的光罩时。 会耗损巨量的时间，极不划算；二来，大面积光罩进行光蚀刻曝光前必须要与晶圆对准，要知道大面积精密定位及防震等问题，在业界看来是极为棘手地，为此所耗费的花费也是极大和极不划算的！所以我们工业界一般采用步进机进行对准曝光；也就是说，即使晶圆大到6寸或8寸，但光罩大小还是只需要小小的1~2寸见方。 这样做有明显的优点，一来光罩制备快速，二来小面积对准的问题也比较少；只是要曝满整片晶圆。 可能要往复花上数十次对准→曝光→移位的重复动作。 但即便如此。 由