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��1。5微米的生产线，那么就在细节上下功夫！

随着小白同志的带领，张国栋他们进入到硅晶圆的制作室，硅晶圆是一切集成电路芯片的制作母材料。

“我们Intel采用的是柴可拉斯基拉晶法（CZ法），你们看，现在机器正在进行拉晶，首先要将特定晶向的晶种浸入过饱和的纯硅熔汤中，然后同时旋转拉出，硅原子便会依照晶种的晶向，乖乖的一层层往上涨，你们看，那儿，就是得到的晶棒。 当然我们Intel是不会使用这种原始的晶棒的，我们一般会采用FZ法将之再结晶，将杂质逐出，提高纯度与阻值。 ”

“各位，看看这里吧，这是对晶棒进行机械加工修边，毕竟刚刚拉出的晶棒外径可不会一致，修完边后我们便用X光绕射法定住主切面的所在，磨出该平面，再以内刃环锯，削下一片片的硅晶圆。 最后经过粗磨　（lapping）、化学蚀平　（chemical　etching）　与拋光　（polishing）　等程序，得出具表面粗糙度在0。3微米以下拋光面之晶圆（至于晶圆厚度，与其外径有关）　。 ”

“各位，我给你们讲解得这样细致就是知道，即使给你们我们Intel一模一样的设备你们也不可能复制我们Intel的奇迹，要知道我们做到今天这一步可是经过了快20年的积累，有的时候经验这个东西不是你想学就能学会的。 你们看，如此现代化的设备多么令人迷醉，那么是拥有那么迷人的艺术气息，各位，难道你们不感叹么？”看得出，该小白是个设备狂，不过张国栋对于他说得也微微赞同，确实，即使将Intel的设备原样不动的搬到中国也同样生产不出达标的晶圆，说到底还是人的因素，经验这东西是需要摸索和沉淀的。 看看后世大众和上汽的合作，一模一样的零件就是生产不出让人满意的质量的汽车就可以知道，其实无论现代化进程有多高，人才是决定一切的因素。

“接下来，我会给你介绍一些设备，希望能让你们有所收获。 ”！~！

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第一百三十四章：开眼界

“我已经听我们Boss说了，你们中国目前也是有晶圆厂的，那么有些东西我就省略不讲了。 下面我就讲讲你们面前这座氧化炉吧。 大家知道，对硅半导体而言，只要在高于或等于1050℃的炉管中，通入氧气或水汽，自然可以将硅晶的表面予以氧化，生长所谓干氧层（dryz/gate　oxide）或湿氧层（wet　/field　oxide），当作电子组件电性绝缘或制程掩膜之用。 氧化是半导体制程中，最干净、单纯的一种；这也是硅晶材料能够取得优势的特性之一。 硅氧化层耐得住850℃　~　1050℃的后续制程环境，是因为该氧化层是在前述更高的温度成长；不过每生长出1　微米厚的氧化层，硅晶表面也要消耗掉0。44微米的厚度。

氧化可以说是所以后续工艺的基础，硅氧化的质量决定了后续晶圆加工的质量，所以我们在氧化制程过程中也会遵循一些特点，当然，这也是我们Intel的独门诀窍。 ”说完，小白同志在仔细观察张国栋他们这群人的反映，让他得意的是这群来自中国的土包子果然都竖起了耳朵，嘿嘿，真以为独门诀窍是这么好学的么，即使告诉他们一点经验也无关紧要吧，不过当他看到张国栋那种淡然的表情又恼怒起来，心中更是涌起了一定要给张国栋一个震撼看看的情绪，这也让他不知不觉中将很多原本不打算讲地事情给讲了出来。 所以，冲动是魔鬼啊。

“氧化层的成长速率不是一直维持恒定的趋势，制程时间与成长厚度之重复性是较为重要的考量。 后长的氧化层会穿透先前长的氧化层而堆积在上面。 换句话说，氧化所需之氧或水汽，势必也要穿透先前成长的氧化层到硅质层。 所以如果要生长出更厚地氧化层，遇到的阻碍也越来越大。 一般而言，很少成长2微米厚以上之氧化层。 注意。 是2微米，这还是经过我们Intel苦心钻研地结果。 以前连2微米都很难达到。 干氧层主要用于制作金氧半（MOS）晶体管的载子信道（channel）；而湿氧层则用于其它较不严格讲究的电性阻绝或制程罩幕（masking）。 前者厚度远小于后者，1000~　1500埃已然足够。 至于如何选择的问题就要根据自身的条件来调整这个比例了，毕竟对于一个如此烧钱的产业来说，产能在短时间内几乎是稳定的，连我们Intel也没办法做到半年一个