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厂。 我想世界上应该还没有一个厂具备我们这样地条件吧。 ”小白说完带着一点得意和挑衅的眼神望着张国栋他们，可惜张国栋他们来之前可是做足了功课的，要说芯片大户。 那绝对是Intel独霸天下，可要说晶圆厂，那就不是Intel一言堂了，所以我们的钟志华先生就有话说了，“虽然贵公司在晶圆生产方面达到了一个很高的产量，但是日本不是还有东芝，NEC等一系列公司的晶圆产能都比你们高么？”

到底还是20多岁的年轻人，像张国栋这样心理年龄达到五十岁的老家伙就不会去在意这些虚名。 他吹你只管让他吹就是了，又不会少一块肉，又不是什么涉及到祖国和民族尊严地事情，他吹得越猛，不是越方便自己闷声发大财么。 不过既然自己的员工已经开了口，自己这个做老板的当然要为他们出头了。 不然这些鬼佬还真以为自己这些人是什么都不知道的乡巴佬呢。 于是张国栋接过话说到。

“没错，日本的NEC在这方面的确是走上了贵厂地前面，要知道这个时候的日本可是号称的经济要很快的赶超你们美国！NEC的钱可是多到用不完呢，嘿嘿。 ”张国栋这家伙又在利用美国佬的民族自尊心，唉，虽然美国佬是彻头彻尾的没有民族的家伙，可好歹人家长年累月的站在世界最高位，虽然旁边还有一群伊万在虎视眈眈，可美国佬除了害怕他们的核武器以外还真什么都没有怕过。 现在竟然跳出了个不知死活地小日本，这可真刺痛了这些山姆大叔那高傲地心。

果然。 张国栋一提小日本。 眼前这位标准的撒克逊后代要不是身上穿着无尘衣可就真要跳起来了，打人不打脸。 张国栋这家伙太坏了，人家最出名地企业纷纷被小日本给买下了，而Intel在存储器市场更是被人打得落花流水。 要不是小日本孤寂美国的军事实力，不得不向山姆大叔的核武低头，计算机市场鹿死谁手还不知道呢。

不过怎奈张国栋他们是说的是实话，在真理面前总是没法反驳的，所以我们的小白同志一张脸，即使隔着一层膜也能让人看见那脸红得滴血了。 真是难为他了，只见他努力平息了一下自己的心情，嘴里还不断的念念有词，或许是说的冲动是魔鬼，冲动是魔鬼，谁知道了。 龙腾的这群家伙也不为几甚，毕竟，无论怎样人家总比自己的龙腾强多了吧，愉悦了一下自己也就罢了。

“对不同晶面走向的晶圆而言，氧化速率有异：通常在相同成长温度、条件、及时间下，｛111｝厚度≧｛110｝厚度＞｛100｝厚度。 注意，前面已经说过晶向和晶种了。 一般的新厂经常不会注意到晶向对氧化速率的影响。 导电性能比较好的的硅晶氧化速率较快。 适度加入氯化氢氧化层质地较佳，但氯化氢比较容易腐蚀管路，这需要很强的经验才能处理好这之间的平衡，所以新厂一般比较少用，而且我们Intel也马上就要淘汰这种技术了。 ”

“接下来我就要给你们讲讲氧化层厚度的量测了，测量可分破坏性与非破坏性两类。 破坏性测量是在光阻定义阻绝下。 泡入缓冲过地氢氟酸（BOE，Buffered　Oxide　Etch，系　HF与NH4F以1：6的比例混合而成的腐蚀剂）将显lou出来的氧化层去除，lou出不沾水的硅晶表面，然后去掉光阻，利用表面深浅量测仪（surface　profiler　or　alpha　step），得到有无氧化层之高度差。 即其厚度。 而非破坏性的测厚法，以椭偏仪　（ellipsometer）　或是毫微仪（nano…spec）最为普遍及准确。 前者能同时输出折射率（refractive　index；用以评估薄膜品质之好坏）及起始厚度b与跳阶厚度a　（总厚度　t　=　ma　＋　b），实际厚度　（需确定m之整数值），仍需与制程经验配合来判断。 所以我才说即使把我们Intel所有的机器搬过去你们也不一定能创造出我们Intel一样地奇迹，毕竟，最重要的还是人。 不同厚度地氧化层会显现不同的颜色，且有2000埃左右厚度即循环一次的特性。 有经验的可单凭颜色而判断出大约的氧化层厚度。 而我们Intel就有大量的技术人员能凭着一双眼睛判断出来。 不过如果超过1。5微米以上的厚度时，氧化层颜色便渐不明显。 ”

小白同志给张国栋他们一口气介绍了这么多也算难得了。 虽然在关键地方语焉不详，以及习惯性地跳跃省略，但结合着面前充满了现代化美感的设备和厂房